二硫化钼能带结构计算出现问题

2018年4月6日 建立的单层二硫化钼、高对称点选取、计算所得的能带结构如图所示,现出现以下问题: 1. G点在二硫化钼表面,不知道这个会不会对计算结果有影响,而且不知...

二硫化钼的结构与性质

近年来,二硫化钼被越来越多的应用于半导体领域.二硫化钼有着许多特殊的性质,特别是当二硫化钼由块体转为单层时,能带结构由间接带隙变为直接带隙,带隙宽度约1.9eV...

单层二硫化钼晶胞结构建立

2012年12月25日 如何用MS建立MoS2的单层晶胞结构呢?能否给个具体的操作步骤啊!! 想把这篇文章的工作拿来练手,算是熟悉一下MS 应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理...

单层二硫化钼中链状硫空位的形成及其电子结构

2017年10月13日 因此,准确地识别单层MoS2的不同缺陷类型,可控的调制缺陷浓度,进而调控单层MoS2的能带结构和电学性质对于相关应用研究具有非常重要的意义。 二硫化钼中硫空位的产生示意...

单面氢化石墨烯的结构、能带调控以及二硫化钼纳米带的边缘...

二维的二硫化钼(MoS2)材料是一个直接带隙的半导体化合物,由于其在纳米器件领域潜在的应用而引起了广泛关注,目前的研究热点延伸到一维的二硫化钼纳米带(nanoribbon)。

新型二维 纳米材料——二硫化钼(MoS2) – 化学慧

2018年7月9日 图2 二硫化钼的三种晶体结构 二硫化钼具有与石墨烯不同的特殊能带结构即间接带隙,禁带宽度为1.29eV,且禁带宽度会随着二硫化钼层数的减少而增加。单片层的二硫化钼禁带...

应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变(0.5%)时, 其能带结构由直接带隙转变为间接带隙.随着应变的增加, 能带仍然保持间接带隙的特征, 且禁带...

二维材料异质结的能带结构及性能研究

从单层石墨烯改善二维材料异质结电接触的方面出发,利用开尔文探针力显微镜(KPFM)原位测试石墨烯/二硫化钼的能带结构,观察到较低的肖特基势垒为0.1eV,退火后,肖特基...

石墨烯的分子式

石墨烯、二硫化钼和黑磷 Paulcnblogs 石墨烯,打开二维材料新视野 从某种意义上说,二维材料并不是全新的技术。研究人员自上世纪60年代利用分子数外延(MBE)机器开发出原...

顶刊动态|Science/AM/ACS Nano等一周中国学术进展汇总【第...

2016年7月23日 烯负载的二硫化钼纳米复合材料有助于实现脱锂过程中的循环稳定性;中国科学院化学研究所&中国科学院大学基于2DQTTs研究了分子结构间关系、薄膜的微观结...

石墨烯及二硫化钼掺杂结构电子特性的理论研究

【摘要】:在本文中,我们基于密度泛函理论,研究了石墨烯超晶格以及二硫化钼掺杂结构的电子特性。根据能带折叠分析,石墨烯超晶格可以区分为狄拉克点折叠到Γ点的超晶格...